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工艺技术
特色工艺
仲博cbin在特色工艺方面拥有超过30年的研发及制造经验,专注于Bipolar, BCD, HVCMOS, eNVM等模拟及数模混合集成电路工艺技术,在消费类电子,工业控制,汽车电子,新能源和智能电网等领域为广大客户提供更具性价比的晶圆制造解决方案。
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BCD
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HV
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eNVM
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Bipolar
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技术简介
仲博cbinBCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术基于先进的CMOS工艺平台,开发出各种电压的高性能,低导通电阻LDMOS,以优越的性能和较低的成本满足各类客户的需求。
目前可以提供0.15μm 5~40V EPI BCD 、0.18μm 5~30V BCD及 0.35μm 700V BCD系列工艺。将持续往更高电压,更先进节点发展。
应用产品
广泛应用于电源管理,DC-DC,AC-DC,LED驱动,电机驱动,电池管理等产品开发。
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技术简介
仲博cbinHV CMOS技术基于先进的CMOS工艺平台,开发出多种电压的HV CMOS器件,以优越的性能和较低的成本满足各类面板驱动IC产品需求。当前0.15μm 1.8/3.3/18V HV CMOS系列工艺开发完成;90nm 1.2V/5V/32V HV CMOS 系列工艺开发中。将持续往更丰富电压,更先进节点发展。
应用产品
广泛应用于电视机、电脑、消费类电子及可穿戴设备的显示面板驱动等产品。
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技术简介
仲博cbin提供多种嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术,包括一次性可编程存储器(OTP), 多次可编程存储器(MTP),电子保险丝一次性可编程存储器(e-fuse),以及嵌入式闪存(e-flash)。技术节点覆盖0.35μm到0.15μm量产工艺以及0.11μm到40nm在研工艺,为各工艺平台提供了可靠和高效的存储方案。
应用产品
仲博cbin提供了完整的嵌入式非易失性存储技术与广泛IP支持,可应用于智能卡,微处理器,电源管理IC等, 广泛涉及消费电子,物联网,汽车电子和工业控制等领域。
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技术简介
仲博cbin拥有丰富的双极型晶体管工艺研发和生产经验,覆盖8V~80V电压范围,且能够进行定制化设计以满足客户不同的设计要求。
应用产品
应用于放大器电路、驱动扬声器、霍尔器件、振荡器、电动机驱动等,广泛应用于自动控制、电子仪器、医疗器械、车载电子等模拟信号领域中。