仲博cbin长期专注于功率IGBT工艺技术的开发，积累了丰富的开发经验和量产经验。现已成功开发了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面场终止型IGBT、以及600V~1700V沟槽高能场终止型IGBT，该技术的产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、变频器、焊机、智能电网、机车拖动等方面。

仲博cbin长期专注于功率MOSFET工艺技术平台开发，拥有丰富的MOSFET生产制造经验。现已形成包括平面VDMOS，Trench MOS，SGT和Super-Junction MOSFET等在内的多种类MOSFET功率器件工艺技术平台。

SGT（Split-gate Trench）是在Trench MOS基础上发展起来的一种新的沟槽MOSFET， SGT采用电荷平衡技术，可以明显减小器件的导通电阻Rds(on)和米勒电容，实现更优的品质因数（FOM），从而有效降低导通损耗，提高开关性能和工作效率，在不间断电源、电池管理系统、电机驱动、服务器等领域有广泛的应用。

仲博cbin6吋/8吋线拥有丰富的TVS（瞬态电压抑制器）工艺研发和生产经验；拥有特色的外延工艺和基于现有CMOS后段产线升级的工艺，能制造出超低电容和超低回折电压的高端产品，客户产品已经打入国际一流3C产品供应链，拥有能为国内外客户定制化平面型和沟槽型产品的工艺方案。

仲博cbin拥有以EPI片和扩散片为基础的FRD制程，支持电子辐照技术进行少子寿命控制。已量产包括650V/750V/1200V的技术平台工艺。

仲博cbin拥有超过10年的MEMS加工经验，具有厚外延、深槽刻蚀、双面光刻等成熟工艺，具备光学MEMS、流量传感器、压力传感器等产品研发及规模量产能力。